전자현미경학 기말고사 (1997년도 1학기)

1. 분석기법들에 관한 아래의 각 acronym의 full name을 적고 이들 기법들의 원리 및 응용을 간략히 설명하시오.
(1) EELS (2) WDS (3) EDS (4) CBED (5) STM

2. 가속전자빔이 시편에 입사 후 발생하는 secondary electron과 backscattered electron의 발생과정 및 응용에서의 차이점을 설명하시오.

3. (a) " Kinematical 이론"에 의하여 TEM Image contrast 생성과정을 고찰한다면, 전자빔 g에 의하여 생성되는 콘트라스트는 column approximation에 의하여 일정한 회절조건(s)하에서 시편하단표면에서 나타나는 (b) "전자빔 g의 진폭크기" (분포)에 의하여 계산되어진다.
(1) " "내의 (a) 부분의 해석이 가능한 조건을 간략히 적으시오.
(2) 시편 내에 변위벡터 R에 상관된 격자결함이 있을 경우와 없을 경우, " " 내 (b)부분에 해당되는 수식적인 표현을 각각 적으시오.
(3) TEM 시편의 가장자리에 흔히 wedge 형태의 부분들이 있게 된다. 이 부분으로부터 나타나는 명시야상과 암시야상의 콘트라스트를 비교하여 개략적으로 그리고, 이의 요인에 대하여 (2)의 수식을 이용하여 설명하시오(이 부분에는 격자결함이 없다고 가정할것).

4. Si 시편으로부터 8 0 8 회절빔이 정확한 회절조건을 만족시킨 상태(s=0)에서, 2 0 2 회절빔을 이용하여 weak beam dark-field image를 얻었다. 이때 2 0 2 회절빔의 deviation parameter의 크기는 얼마인가? (가속전압 : 100 kV, a sub 0 = 0.543 nm)

5. (1) Phase contrast 생성과정을 나타내는 개략도를 그리고, diffraction contrast와의 차이점을 설명하시오. 이 개략도에는 전자빔행로, 대물렌즈, 대물개구, 영상면 등을 포함시킬 것.

(2) contrast transfer function의 의미를 설명하고, 결정시편의 원자포텐셜 분포의 분해가능성을 최대화시킬 수 있는 조건을 나타내는 contrast transfer function을 공간주파수에 관하여 개략적으로 표현하고 이 조건을 간략히 서술하시오. (끝)

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