전자현미경학 중간고사 (1997년 봄학기)

* 20(1) + 20(2) + 20(3) + 40(4) = 100(총점)

1. 명시야상, 암시야상, 회절패턴을 얻고자 할때의 전자빔행로를 그리고(drawing) 차이점들을 구별하여 설명하시오. (필요한 렌즈, 개구, 면들을 그림에 나타낼 것)

2. 가속전압이 100kv이고 카메라 상수가 2.02 [nmxnm]인 투과전자현미경으로부터 기록된 회절패턴에서 밝은 Kikuchi선이 이에 상관하는 회절점 g로부터 밖으로 2nm 떨어져있다. 이 회절점에 해당되는 면의 면간거리는 0.0778nm이다.
(a) 이 결정면이 정확한 Bragg 회절조건으로부터의 이탈정도를 구하시오.
(b) Ewald sphere와 역격자점을 포함한 그림에 이 회절점 g를 도시하시오.

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3. Si의 (1 1 1) coherent twin면에 [110] 방향으로 전자빔이 입사할때 예상되는 회절패턴을 그리시오.

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4. Si에 대하여 1 1 1, 1 1 2, 0 0 1, 0 1 1의 pole을 포함하는 Kikuchi map을 작도하시오. 각 pole에서 최소 6개 이상의 회절점들을 나타내고 이들의 index를 부여하시오. 위의 map에서 pole, spot 그리고 Kikuchi line의 index들이 상호일치해야 함. (끝)

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